2. Wybrane aspekty wzrostu struktur epitaksjalnych 2.1. Podstawy epitaksji 2.1.1. Definicja epitaksji 2.1.2. Klasyfikacja metod osadzania 2.1.3. Struktura atomowa i krystaliczna 2.1.4. Dopasowanie strukturalne 2.2. Tryby oraz modyfikacje epitaksjalnego wzrostu kryształów 2.2.1. Podstawowe tryby wzrostu 2.2.2. Epitaksja selektywna 2.2.3. Anizotropia epitaksji 2.2.4. Aerotaxy 2.3. Jakość osadzanych struktur oraz kontrola procesów epitaksjalnych 2.3.1. Materiały źródłowe oraz podłoża 2.3.2. Narzędzia diagnostyczne 2.3.3. Rozwiązania konstrukcyjne stanowisk epitaksjalnych 3. Właściwości struktur kwantowych 3.1. Struktura pasmowa i elektronowa 3.2. Korzyści wynikające z zastosowania struktur kwantowych w konstrukcjach przyrządów optoelektronicznych 3.3. Mechanizm oddziaływania światła z materią w strukturach niskowymiarowych 4. Rodzaje epitaksjalnych struktur kwantowych 4.1. Studnie kwantowe 4.1.1. Podstawowa konstrukcja studni kwantowej 4.1.2. Schodkowa studnia kwantowa 4.1.3. Studnia kwantowa typu W 4.2. Supersieci 4.3. Kropki kwantowe 4.3.1. Samoorganizujące się kropki kwantowe 4.3.2. Kropki kwantowe na podłożach strukturyzowanych 4.3.3. Kropki kwantowe z przejściem skośnym 4.3.4. Kompensacja naprężeń w kropkach kwantowych 4.3.5. Kropki kwantowe w studni kwantowej 4.3.6. Struktury ze złączem tunelowym 4.4. Kropki kwantowe osadzane kolumnowo oraz kreski kwantowe 4.5. Druty kwantowe 4.5.1. Planarne druty kwantowe 4.5.2. Wolnostojące druty kwantowe 5. Możliwości konstrukcyjne oraz właściwości struktur zawierających studnie kwantowe - na przykładzie wybranych materiałów półprzewodnikowych 5.1. Wybór materiału 5.1.1. Przerwa energetyczna 5.1.2. Nieciągłości pasm energetycznych 5.1.3. Ułożenie pasm energetycznych 5.1.4. Wpływ naprężeń na strukturę pasmową półprzewodników 5.1.5. Relaksacja naprężeń strukturalnych 5.1.6. Wpływ domieszkowania na strukturę pasmową 5.2. Modyfikacje struktur elektronowych oraz właściwości studni kwantowych 5.2.1. Kwantyzacja stanów elektronowych 5.2.2. Regulacja nieciągłości pasm energetycznych 5.2.3. Wpływ naprężeń rozciągających 5.2.4. Niejednorodności studni kwantowych 5.3. Wpływ konstrukcji barier energetycznych na właściwości studni kwantowych 5.3.1. Naprężenia w warstwach tworzących bariery potencjału 5.3.2. Bariery kompensujące naprężenia 5.3.3. Redukcja termicznej aktywacji nośników ze studni kwantowej 5.4. Rozwiązanie równań Poissona i Schródingera metodą samouzgodnienia 5.5. Zestawienie podstawowych parametrów wybranych układów stopów półprzewodnikowych 5.5.1. Parametry materiałów wieloskładnikowych 5.5.2. AllnGaP/GaAs oraz AllnGaP/InP 5.5.3. AllnGaAs/GaAs oraz AlInGaAs/InP 5.5.4. InGaAsP/GaAs oraz InGaAsP/InP 5.5.5. GalnNAs/GaAs oraz GalnNAs/lnP 6. Wybrane aspekty technologii i konstrukcji struktur przyrządowych 6.1. Lasery SCH 6.1.1. Ograniczenia technologiczne 6.1.2. Ograniczenia konstrukcyjne 6.1.3. Lasery GaInNAs-QW dużej mocy 6.2. Lasery kaskadowe 6.2.1. Kwantowe lasery kaskadowe QCL 6.2.2. Międzypasmowe lasery kaskadowe ICL 6.3. Ogniwa fotowoltaiczne 6.3.1. Studnie kwantowe w ogniwach fotowoltaicznych 6.3.2. Ogniwa fotowoltaiczne typu IBSC 6.4. Fotodetektory 6.4.1. Modulacja elektrooptyczna 6.4.2. Kwantowy efekt Starka - redukcja absorpcji 6.4.3. Redukcja niekorzystnego wpływu efektu Starka na właściwości absorpcyjne 6.5. Kwantowe detektory podczerwieni QWIP 7. Charakteryzacja strukturalna warstw wykonanych z wieloskładnikowych stopów półprzewodnikowych 7.1. Metody charakteryzacji strukturalnej warstw epitaksjalnych 7.1.1. Metody niszczące 7.1.2. Metody nieniszczące 7.1.3. Techniki charakteryzacji z wykorzystaniem metod powijanych 7.2. Algorytm charakteryzacji strukturalnej z wykorzystaniem metod nieniszczących 7.2.1. Charakteryzacja struktur GalnNAs/GaAs MQW 7.2.2. Charakteryzacja struktur GalnNAs/GaAs MQW z niejednorodnymi studniami kwantowymi