SOWA OPAC : Katalog komputerowy książek, czasopism i zbiorów specjalnych

2 wyniki

Brak okładki

Książka

W koszyku

Metody efektywnego modelowania kwantowych przyrządów półprzewodnikowych / Mariusz Mączka. - Rzeszów : Oficyna Wydawnicza Politechniki Rzeszowskiej, 2018. - 298, [2] strony : ilustracje, wykresy ; 24 cm.

Autor

Mączka Mariusz

Forma i typ

Książki Publikacje naukowe

Temat

Analiza numeryczna Funkcje Greena Modele matematyczne Półprzewodnikowe struktury kwantowe Symulacja

Gatunek

Monografia

Dziedzina i ujęcie

Fizyka i astronomia Inżynieria i technika

Bibliografia, netografia na stronach [283]-298.

1.Kwantowe przyrządy półprzewodnikowe formowane elektrostatycznie 2.1.Ogólna charakterystyka wybranych przyrządów na bazie nanostruktur odwrotnych 2.2.Sposoby opisu i symulacji efektów kwantowych w strukturze odwrotnej 2.3.Zastosowanie metody elementów brzegowych do obliczania rozkładu potencjału w trzech wymiarach geometrycznych 2.4.Efektywne modelowanie kwantowych przyrządów formowanych elektrostatycznie w trzech wymiarach geometrycznych 2.4.1.Badania rozkładów potencjału w strukturze odwrotnej 2.4.2.Badania stanów elektronowych w kropce kwantowej formowanej elektrostatycznie 2.4.3.Badania stanów elektronowych układu dwóch kropek kwantowych formowanych elektrostatycznie 2.4.4.Modelowanie transportu elektronowego w strukturze odwrotnej 2.4.4.1.Modelowanie kwantowego styku punktowego i drutu kwantowego 2.4.4.2.Modelowanie tranzystora jednoelektronowego 2.5.Opis i analiza algorytmów programowych symulatora kwantowych przyrządów półprzewodnikowych 2.5.1.Bloki rozwiązywania równań Laplace'a i Poissona 2.5.2.Blok wyznaczania funkcji Greena 2.5.3.Blok rozwiązywania równania Schródingera 2.5.4.Warstwa prezentacji wyników i technika realizacji programu 3. Supersieci półprzewodnikowe 3.1.Podstawowe właściwości materiałowe supersieci półprzewodniko¬wych 3.2.Sposoby opisu i symulacji zjawisk kwantowych zachodzących w supersieciach półprzewodnikowych 3.2.1.Stan równowagi termodynamicznej 3.2.2.Stan nierównowagi termodynamicznej 3.2.3.Tunelowanie rezonansowe 3.2.4.Oscylacje Blocha i przewodnictwo pasmowe 3.2.5.Przeskoki Wanniera-Starka 3.2.6.Efekty rozproszeniowe w supersieciach 3.2.7.Uogólnione podejście do symulacji transportu elektronowego w supersieciach 3.3.Efektywne modele numeryczne supersieci półprzewodnikowych 3.3.1.Model nieskończony supersieci półprzewodnikowej w stanie równowagi termodynamicznej 3.3.1.1.Obliczenia dozwolonych minipasm - metoda macierzy przejścia 3.3.1.2.Metoda nierównowagowych funkcji Greena w ujęciu stałych wartości współczynnika rozproszeń 3.3.1.3.Transformacja funkcji Greena z przestrzeni energii do przestrzeni energetyczno-położeniowej z użyciem bazy stanów Wanniera 3.3.2.Model nieskończony supersieci półprzewodnikowej w stanie nierównowagi termodynamicznej 3.3.2.1.Obliczenia funkcji Greena w ujęciu stałych wartości współczynnika rozproszeń dla warunków nierównowagi 3.3.2.2.Obliczenia nierównowagowych funkcji Greena metodą aproksymacji Borna 3.3.2.3.Metoda obliczania nierównowagowych funkcji Greena z wykorzystaniem sond Biittikera 3.3.2.4.Transformacja funkcji Greena w wymiarze energii do przestrzeni energetyczno-położeniowej z użyciem bazy stanów Wanniera-Starka 3.3.2.5.Samouzgodnione rozwiązywanie równań transportowych i Poissona z wykorzystaniem formalizmu nierównowagowych funkcji Greena 3.3.2.6.Obliczanie prądu płynącego w strukturze supersieci 3.3.3.Model skończony supersieci w stanie równowagi termodynamicznej 3.3.4.Model skończony supersieci w stanie nierównowagi termodynamicznej 3.3.5.Analiza dokładności wyników modelu nieskończonego supersieci 3.4.Realizacja programowa symulatora supersieci półprzewodnikowych 3.4.1.Blok wyznaczania dozwolonych minipasm i funkcji Blocha (model MN) 3.4.2.Blok wyznaczania dozwolonych minipasm i funkcji falowych (model MS) 3.4.3.Bloki wyznaczania maksymalnie zlokalizowanych funkcji Wanniera i funkcji Waniera-Starka 3.4.4.Blok wyznaczania funkcji Greena 3.4.6.Blok wyznaczania parametrów transportowych 3.4.7.Symulacje charakterystyk prądowo-napięciowych 5.1.Prezentacja wybranych opcji programu do symulacji kwantowych przyrządów półprzewodnikowych formowanych elektrostatycznie 5.1.1.Definicja modelu struktury 3D 5.1.2.Warstwa prezentacji wyników i realizacja projektu 5.2.Prezentacja wybranych opcji programu do symulacji supersieci półprzewodnikowych 5.2.1.Wybór opcji symulacji i definicje jej parametrów 5.2.2.Prezentacja wyników symulacji

Sygnatura czytelni BMW: VII Ń 182 (nowy)

dostępna w czytelni

1 placówka posiada w zbiorach tę pozycję. Rozwiń informację, by zobaczyć szczegóły.

Biblioteka Międzywydziałowa

Egzemplarze są dostępne wyłącznie na miejscu w bibliotece: sygn. 147611 LE N (1 egz.)

Brak okładki

Książka

W koszyku

Struktury kwantowe w technologii przyrządów półprzewodnikowych / Damian Pucicki. - Wrocław : Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2017. - 245, [2] strony : ilustracje, fotografie, wykresy ; 24 cm.

Autor

Pucicki Damian.

Forma i typ

Książki Publikacje naukowe

Temat

Półprzewodnikowe struktury kwantowe Studnia kwantowa

Gatunek

Opracowanie

Dziedzina i ujęcie

Chemia Fizyka i astronomia

Bibliografia, netografia na stronach [225]-245.

2. Wybrane aspekty wzrostu struktur epitaksjalnych 2.1. Podstawy epitaksji 2.1.1. Definicja epitaksji 2.1.2. Klasyfikacja metod osadzania 2.1.3. Struktura atomowa i krystaliczna 2.1.4. Dopasowanie strukturalne 2.2. Tryby oraz modyfikacje epitaksjalnego wzrostu kryształów 2.2.1. Podstawowe tryby wzrostu 2.2.2. Epitaksja selektywna 2.2.3. Anizotropia epitaksji 2.2.4. Aerotaxy 2.3. Jakość osadzanych struktur oraz kontrola procesów epitaksjalnych 2.3.1. Materiały źródłowe oraz podłoża 2.3.2. Narzędzia diagnostyczne 2.3.3. Rozwiązania konstrukcyjne stanowisk epitaksjalnych 3. Właściwości struktur kwantowych 3.1. Struktura pasmowa i elektronowa 3.2. Korzyści wynikające z zastosowania struktur kwantowych w konstrukcjach przyrządów optoelektronicznych 3.3. Mechanizm oddziaływania światła z materią w strukturach niskowymiarowych 4. Rodzaje epitaksjalnych struktur kwantowych 4.1. Studnie kwantowe 4.1.1. Podstawowa konstrukcja studni kwantowej 4.1.2. Schodkowa studnia kwantowa 4.1.3. Studnia kwantowa typu W 4.2. Supersieci 4.3. Kropki kwantowe 4.3.1. Samoorganizujące się kropki kwantowe 4.3.2. Kropki kwantowe na podłożach strukturyzowanych 4.3.3. Kropki kwantowe z przejściem skośnym 4.3.4. Kompensacja naprężeń w kropkach kwantowych 4.3.5. Kropki kwantowe w studni kwantowej 4.3.6. Struktury ze złączem tunelowym 4.4. Kropki kwantowe osadzane kolumnowo oraz kreski kwantowe 4.5. Druty kwantowe 4.5.1. Planarne druty kwantowe 4.5.2. Wolnostojące druty kwantowe 5. Możliwości konstrukcyjne oraz właściwości struktur zawierających studnie kwantowe - na przykładzie wybranych materiałów półprzewodnikowych 5.1. Wybór materiału 5.1.1. Przerwa energetyczna 5.1.2. Nieciągłości pasm energetycznych 5.1.3. Ułożenie pasm energetycznych 5.1.4. Wpływ naprężeń na strukturę pasmową półprzewodników 5.1.5. Relaksacja naprężeń strukturalnych 5.1.6. Wpływ domieszkowania na strukturę pasmową 5.2. Modyfikacje struktur elektronowych oraz właściwości studni kwantowych 5.2.1. Kwantyzacja stanów elektronowych 5.2.2. Regulacja nieciągłości pasm energetycznych 5.2.3. Wpływ naprężeń rozciągających 5.2.4. Niejednorodności studni kwantowych 5.3. Wpływ konstrukcji barier energetycznych na właściwości studni kwantowych 5.3.1. Naprężenia w warstwach tworzących bariery potencjału 5.3.2. Bariery kompensujące naprężenia 5.3.3. Redukcja termicznej aktywacji nośników ze studni kwantowej 5.4. Rozwiązanie równań Poissona i Schródingera metodą samouzgodnienia 5.5. Zestawienie podstawowych parametrów wybranych układów stopów półprzewodnikowych 5.5.1. Parametry materiałów wieloskładnikowych 5.5.2. AllnGaP/GaAs oraz AllnGaP/InP 5.5.3. AllnGaAs/GaAs oraz AlInGaAs/InP 5.5.4. InGaAsP/GaAs oraz InGaAsP/InP 5.5.5. GalnNAs/GaAs oraz GalnNAs/lnP 6. Wybrane aspekty technologii i konstrukcji struktur przyrządowych 6.1. Lasery SCH 6.1.1. Ograniczenia technologiczne 6.1.2. Ograniczenia konstrukcyjne 6.1.3. Lasery GaInNAs-QW dużej mocy 6.2. Lasery kaskadowe 6.2.1. Kwantowe lasery kaskadowe QCL 6.2.2. Międzypasmowe lasery kaskadowe ICL 6.3. Ogniwa fotowoltaiczne 6.3.1. Studnie kwantowe w ogniwach fotowoltaicznych 6.3.2. Ogniwa fotowoltaiczne typu IBSC 6.4. Fotodetektory 6.4.1. Modulacja elektrooptyczna 6.4.2. Kwantowy efekt Starka - redukcja absorpcji 6.4.3. Redukcja niekorzystnego wpływu efektu Starka na właściwości absorpcyjne 6.5. Kwantowe detektory podczerwieni QWIP 7. Charakteryzacja strukturalna warstw wykonanych z wieloskładnikowych stopów półprzewodnikowych 7.1. Metody charakteryzacji strukturalnej warstw epitaksjalnych 7.1.1. Metody niszczące 7.1.2. Metody nieniszczące 7.1.3. Techniki charakteryzacji z wykorzystaniem metod powijanych 7.2. Algorytm charakteryzacji strukturalnej z wykorzystaniem metod nieniszczących 7.2.1. Charakteryzacja struktur GalnNAs/GaAs MQW 7.2.2. Charakteryzacja struktur GalnNAs/GaAs MQW z niejednorodnymi studniami kwantowymi

Sygnatura czytelni BWEAiI: IX H 12

dostępna w czytelni

1 placówka posiada w zbiorach tę pozycję. Rozwiń informację, by zobaczyć szczegóły.

Biblioteka WEAiI

Egzemplarze są dostępne wyłącznie na miejscu w bibliotece: sygn. 145903 N (1 egz.)