1.Kwantowe przyrządy półprzewodnikowe formowane elektrostatycznie 2.1.Ogólna charakterystyka wybranych przyrządów na bazie nanostruktur odwrotnych 2.2.Sposoby opisu i symulacji efektów kwantowych w strukturze odwrotnej 2.3.Zastosowanie metody elementów brzegowych do obliczania rozkładu potencjału w trzech wymiarach geometrycznych 2.4.Efektywne modelowanie kwantowych przyrządów formowanych elektrostatycznie w trzech wymiarach geometrycznych 2.4.1.Badania rozkładów potencjału w strukturze odwrotnej 2.4.2.Badania stanów elektronowych w kropce kwantowej formowanej elektrostatycznie 2.4.3.Badania stanów elektronowych układu dwóch kropek kwantowych formowanych elektrostatycznie 2.4.4.Modelowanie transportu elektronowego w strukturze odwrotnej 2.4.4.1.Modelowanie kwantowego styku punktowego i drutu kwantowego 2.4.4.2.Modelowanie tranzystora jednoelektronowego 2.5.Opis i analiza algorytmów programowych symulatora kwantowych przyrządów półprzewodnikowych 2.5.1.Bloki rozwiązywania równań Laplace'a i Poissona 2.5.2.Blok wyznaczania funkcji Greena 2.5.3.Blok rozwiązywania równania Schródingera 2.5.4.Warstwa prezentacji wyników i technika realizacji programu 3. Supersieci półprzewodnikowe 3.1.Podstawowe właściwości materiałowe supersieci półprzewodniko¬wych 3.2.Sposoby opisu i symulacji zjawisk kwantowych zachodzących w supersieciach półprzewodnikowych 3.2.1.Stan równowagi termodynamicznej 3.2.2.Stan nierównowagi termodynamicznej 3.2.3.Tunelowanie rezonansowe 3.2.4.Oscylacje Blocha i przewodnictwo pasmowe 3.2.5.Przeskoki Wanniera-Starka 3.2.6.Efekty rozproszeniowe w supersieciach 3.2.7.Uogólnione podejście do symulacji transportu elektronowego w supersieciach 3.3.Efektywne modele numeryczne supersieci półprzewodnikowych 3.3.1.Model nieskończony supersieci półprzewodnikowej w stanie równowagi termodynamicznej 3.3.1.1.Obliczenia dozwolonych minipasm - metoda macierzy przejścia 3.3.1.2.Metoda nierównowagowych funkcji Greena w ujęciu stałych wartości współczynnika rozproszeń 3.3.1.3.Transformacja funkcji Greena z przestrzeni energii do przestrzeni energetyczno-położeniowej z użyciem bazy stanów Wanniera 3.3.2.Model nieskończony supersieci półprzewodnikowej w stanie nierównowagi termodynamicznej 3.3.2.1.Obliczenia funkcji Greena w ujęciu stałych wartości współczynnika rozproszeń dla warunków nierównowagi 3.3.2.2.Obliczenia nierównowagowych funkcji Greena metodą aproksymacji Borna 3.3.2.3.Metoda obliczania nierównowagowych funkcji Greena z wykorzystaniem sond Biittikera 3.3.2.4.Transformacja funkcji Greena w wymiarze energii do przestrzeni energetyczno-położeniowej z użyciem bazy stanów Wanniera-Starka 3.3.2.5.Samouzgodnione rozwiązywanie równań transportowych i Poissona z wykorzystaniem formalizmu nierównowagowych funkcji Greena 3.3.2.6.Obliczanie prądu płynącego w strukturze supersieci 3.3.3.Model skończony supersieci w stanie równowagi termodynamicznej 3.3.4.Model skończony supersieci w stanie nierównowagi termodynamicznej 3.3.5.Analiza dokładności wyników modelu nieskończonego supersieci 3.4.Realizacja programowa symulatora supersieci półprzewodnikowych 3.4.1.Blok wyznaczania dozwolonych minipasm i funkcji Blocha (model MN) 3.4.2.Blok wyznaczania dozwolonych minipasm i funkcji falowych (model MS) 3.4.3.Bloki wyznaczania maksymalnie zlokalizowanych funkcji Wanniera i funkcji Waniera-Starka 3.4.4.Blok wyznaczania funkcji Greena 3.4.6.Blok wyznaczania parametrów transportowych 3.4.7.Symulacje charakterystyk prądowo-napięciowych 5.1.Prezentacja wybranych opcji programu do symulacji kwantowych przyrządów półprzewodnikowych formowanych elektrostatycznie 5.1.1.Definicja modelu struktury 3D 5.1.2.Warstwa prezentacji wyników i realizacja projektu 5.2.Prezentacja wybranych opcji programu do symulacji supersieci półprzewodnikowych 5.2.1.Wybór opcji symulacji i definicje jej parametrów 5.2.2.Prezentacja wyników symulacji